水冷式等離子清洗機設備簡介及加水冷原因介紹
文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間：2023-02-14
一部分微電子集成電路器件工藝生產過程中，比如已封裝芯片的攝像頭組件，需要等離子清洗機進行表面處理增加活性和去除污染物，但是在輝光處理時，由于等離子體具有一定的溫度，帶電粒子的熱運動，會對組件表面進行物理轟擊和化學反應的雙重作用，同時組件放置在電極托盤上(正負電極)充當了等離子電源的負載，也成為了正負電極。處理時間越長，金屬電極托盤和工件皆有不同程度的升溫。而這些材料特性在超過比如35℃時，會變形變色熱損傷，導致工件廢件，因此為了避免處理溫度過高水冷式等離子清洗機也就因此而產生。
基礎型真空等離子清洗機一般由控制部分、真空腔室部分、等離子電源及耦合部分、氣體部分組成。在一些特殊的工藝段，由于工件的自身熱敏感或生產工藝要求接近刻蝕參數(shù)，會在基礎等離子清洗系統(tǒng)上改造耦合方式及托盤托架部分，改進提升進氣抽氣位置方式，改變腔室材質等以達到最佳耦合和處理效果。
等離子清洗機需要加水冷原因
一部分微電子集成電路器件工藝生產過程中，比如已封裝芯片的攝像頭組件，需要等離子清洗系統(tǒng)進行表面處理增加活性和去除污染物。對于1000W，13．56MHz射頻電源，電源本身無需水冷，但是在輝光處理時，由于等離子體具有一定的溫度，帶電粒子的熱運動，會對組件表面進行物理轟擊和化學反應的雙重作用，同時組件放置在電極托盤上(正負電極)充當了等離子電源的負載，也成為了正負電極。處理時間越長，金屬電極托盤和工件皆有不同程度的升溫。而這些材料特性在超過比如35℃時，會變形變色熱損傷，導致工件廢件。故需要對其放置的托盤進行水冷。
對于40kHz中頻電源，功率2000W內，等離子清洗時間只有幾分鐘，則電源及反應倉內靶材皆無需水冷;當功率為3000W以上時，進行等離子處理的同時，電源和反應倉內靶材皆需水冷，因發(fā)熱量長期超過電源及靶材可承受范圍，會導致電源損壞靶材裂開或熔化。
水冷式等離子清洗機設備簡介
帶水冷結構電極載物托盤的等離子清洗系統(tǒng)是在成熟的基礎型等離子清洗機結構和工藝基礎上，為電極板做了水冷，系統(tǒng)包括電器控制操作系統(tǒng)、水冷電極托盤，真空腔室、等離子電源、真空泵、氣路系統(tǒng)、水冷機等。
水冷式等離子清洗機結構組成示意圖
清洗工藝流程保留了基礎型等離子清洗機的流程:在壓力到達設定本底壓力時，充入工藝氣體，當腔內壓力進出動態(tài)平衡時，利用等離子電源產生的中高頻交變電磁場激發(fā)生成等離子體，對被清洗工件表面進行物理轟擊與化學反應雙重作用，使被清洗物表面物質變成粒子和氣態(tài)物質，經過抽真空排出，而達到清洗目的。
水冷等離子清洗機電極
本文由國產等離子清洗機廠家納恩科技整理編輯！溫度是等離子體產生的極重要因素，太陽及太陽風(太陽日冕)、熱核聚變就是典型的例子，研究不同溫度下等離子清洗系統(tǒng)內等離子的密度活性，處理速度及均勻性，可選擇性地得到適宜的材料處理種類及厚度和處理后表面材料特性，水冷式等離子清洗機可以避免對基材表面產生熱損傷。
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