RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)NE-RE08

產(chǎn)品型號(hào)：NE-RE08
性能特點(diǎn)：刻蝕速率快，各向異性好
產(chǎn)品用途：干法刻蝕

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產(chǎn)品介紹
產(chǎn)品參數(shù)

反應(yīng)離子刻蝕(RIE)是集成電路制造工藝中刻蝕工藝的一種,它具有各向異性、刻蝕均勻性好、刻蝕線寬損失小等特點(diǎn)。RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，結(jié)合了物理刻蝕和化學(xué)刻蝕的特點(diǎn)，使用等離子體中的離子和化學(xué)反應(yīng)共同作用于材料表面，可以實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝。

技術(shù)指標(biāo)：
RF功率：300W
晶片尺寸：最大8英寸
反應(yīng)氣體：CF4、CHF3、SF6、O2、Ar等
刻蝕材料：可用于硅及化合物（如SiN、SiO2、SiC等），有機(jī)物（如光刻膠、PMMA、ARC等）等材料。
均勻性：<±10%

反應(yīng)離子刻蝕的特點(diǎn)：
(1)刻蝕過(guò)程中物理刻蝕和化學(xué)刻蝕一同參與,具有各向異性的特點(diǎn)。
(2)氣壓較低,氣體的自由程大,離子被電場(chǎng)作用的距離長(zhǎng),因此離子的動(dòng)能增大,物理濺射作用和化學(xué)反應(yīng)都被增強(qiáng),刻蝕速率被極大提高。
(3)通過(guò)選用不同的氣體對(duì)不同的材料進(jìn)行刻蝕,比如選用SF6、CF4等氣體對(duì)硅、氮化硅、鎢等材料進(jìn)行刻蝕,CHF3對(duì)二氧化硅進(jìn)行刻蝕,以及O2對(duì)聚合物進(jìn)行刻蝕。

工作臺(tái)尺寸	Φ300mm（11.8inch）
有效處理尺寸	Φ280mm(loading up to 8" round substrate)
冷卻方式	水冷固定電極
等離子電源	13.56MHz/600W連續(xù)調(diào)節(jié) 自動(dòng)阻抗匹配可連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間工作
氣體流量控制	0-500sccm MFC氣體質(zhì)量流量計(jì)精確控制流量
反應(yīng)氣體	標(biāo)準(zhǔn)配置2路，最大可配置4路。 O2、Ar、N2，CF4，Cl2等氣體
刻蝕方式	RIE
真空泵	30M3/H（干泵）
真空測(cè)定系統(tǒng)	1.0×105～1×10-1 Pa
充氣系統(tǒng)	N2+節(jié)流閥控制
抽真空時(shí)間	60s以內(nèi)
破真空時(shí)間	≤15s
輸入氣壓檢測(cè)系統(tǒng)	氣壓自動(dòng)報(bào)警
電源	AC220V
控制系統(tǒng)	PLC+人機(jī)交互觸摸屏

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RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)NE-RE08

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